AIXTRON的目标是在生产相关的环境下，使用OLAD系统展示与客户相关的参数。为此，AIXTRON为OVPD制程专门设计的专有核心元素已针对Generation8.5基材尺寸(2250mmx2250mm)进行扩充和最佳化，且整合到与Manz集团共同制作的、拥有相应尺寸的制程反应室中。AIXTRON爱思强还优化了自有的源技术STExS（短热暴露源），以便基于基材尺寸和要求，在快速、省料的过程中将经过精确测量的材料转化为气态。

　　相比起传统的真空气化(VTE，vacuum thermal evaporation)，这种源技术能够在数秒钟之内开始气化，在基材处理完成后立即停止运转。监于目前已经实现了50埃/秒(a/sec)的沉积率，整个流程时间大大缩短，同时确保消耗的材料量尽量减少。

　　而在OVPD制程中使用的AIXTRON喷淋头技术也在其中发挥了重要作用。与真空气化VTE不同的是，这项技术可促进基于区域化的有机层沉积。OVPD制程中需要的材料流则通过STExS源技术供应。STExS源以50a/sec的高效沉积率运行，每秒可气化约40毫克。同时，专利设计方案，可以确保敏感而价昂的有机材料能在制程中得到细致处理。

　　该公司指出，从之前进行的测试可以看出，材料利用率远超70%，极为高效率。这些结果说明，相比传统气化技术，新制程取得了可观的进展，与大幅降低OLED生产成本的目标一致。目前，该公司给相关客户的展示已经开始进行，而OLED制造商也得以使用这些新的制程技术，降低OLED的生产成本。

　　AIXTRON执行长Martin Goetzeler表示：“我们的OLAD展示设备目前实现的展示能力是一项意义重大的中期成就，助力我们实现高效的OLED生产。我们很高兴现在可以向业内客户提供满足这方面的技术，也再次说明本公司有能力将复杂技术成功转变为成熟产品。”

来源：LED网