德国AIXTRON爱思强股份有限公司（法兰克福证券交易所：AIXA；纳斯达克：AIXG）今日宣布，一家大型存储器制造商验证认可其QXP-8300原子层沉积技术（ALD）小批次生产系统适合各种先进存储器应用的高介电系数氧化膜，包括3D结构元件。
AIXTRON爱思强在矽半导体制造科技达到里程碑
AIXTRON爱思强美国分公司副总裁兼总经理BillBentinck表示，“我们非常高兴地了解到，我们的客户已经完成对QXP-8300ALD系统是否适合制造最先进高性能存储元件的评估。QXP-8300ALD系统能够制造具备卓越电子和元件性能的先进薄膜。AIXTRON爱思强期望以提供生产设备，进一步支持客户的存储器开发计划，以解决产业快速发展带来的挑战。”
随着半导体存储单元的尺寸不断缩小，制造商需要更先进的技术，用于沉积精密介电层、金属和非易失性存储材料。AIXTRON爱思强QXP-8300ALD系统包括已获专利的三喷头（TriJet）汽化器技术，该技术与独特的近耦合喷淋头设计结合，可使在制造超高介电值的介电和金属氮化物的过程中，能够按实际需要使用低蒸气压前驱体，从而能够提高性能。
关于AIXTRON爱思强
AIXTRON爱思强是半导体产业领先的沉积设备供应商。该公司成立于1983年，总部设在德国黑措根拉特（靠近亚琛），并在亚洲、美国及欧洲设有子公司及销售办事处。该公司的技术解决方案被全世界广泛的客户所使用，以制造先进的电子和光电子应用元件，这些元件乃基于化合物、矽或有机半导体材料。该元件被广泛用于创新应用、技术及行业，其中包括LED应用、显示技术、数据存储、数据传输、能源管理和转化、通讯、信号灯和照明技术以及其他尖端技术。 |
