发光亮度

一般亮度：R(红色GaAsP655nm)、H(高红GaP697nm)、G(绿色GaP565nm)、Y(黄色GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等；

高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm)、SR(较亮红色GaA/AS660nm)；

超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；

三元晶片(磷﹑镓﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS660nm)、HR(超亮红色GaAlAs660nm)、UR(最亮红色GaAlAs660nm)等；

四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF(较亮红色AlGalnP)、HRF(超亮红色AlGalnP)、URF(最亮红色AlGalnP630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm)、HY(超亮黄色AlGalnP595nm)、UY(最亮黄色AlGalnP595nm)、UYS(最亮黄色AlGalnP587nm)、UE(最亮桔色AlGalnP620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP620nm)、UG(最亮绿色AIGalnP574nm)LED等。

技术参数

1．成像特性：

镜头：12mm、F1.8高保真光学镜头

CCD规格：300万像素/500万像素，真彩

图像拍摄：手动对焦，可专业级地精细成像LED芯片

图像调整：手动调整亮度；自动调整对比度、饱和度

2．计数特性：

快速的计算出LED芯片总数，可根据需要折扣数量，并显示和输出计数结果

可计数≥5mil(或0.127mm)不透明LED芯片

可计数双电极透明的LED芯片

计数速度：2000～8000个LED芯片/s的统计速度，无需扫描即成像即计数

简便易用：真正一键式操作，鼠标一点，结果即现。软件界面美观，操作简便。

参数释疑：

正向工作电流If：它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。

V-I特性：发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。

发光强度IV：发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉，mcd)作单位。

LED的发光角度：-90°-+90°

光谱半宽度Δλ：它表示发光管的光谱纯度。

半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。

全形：根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。

视角：指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。

半形：法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。

最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。

最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。

工作环境topm：发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。

允许功耗Pm：允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

                   来源：中国LED网