“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”获国家技术发明二等奖

　　消费日报网讯：扬州中科半导体照明有限公司的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”，1月9日获得国家技术发明二等奖。

　　“GaN材料高折射率的物理性质，光提取一直是半导体照明核心器件效率提升的重要技术瓶颈。”扬州中科半导体照明有限公司总经理、研究员王国宏举例，该公司生产的材料就类似于手电筒灯珠发的光，有了光但是它照射不出来，一样无法照明，“我们就是通过技术的改进，来提高发光的效率。”

　　那么这一技术是如何实现的呢?“我们在国际上首创了一项技术，使得器件提取效率提高了1.6倍。”王国宏解释，换个通俗的说法，就是在产品核心发光器表面做了一些结构，使得这一产品制成的LED比同类瓦数产品亮度要高出1.6倍。

　　在半导体照明应用中，散热也是一个重要的技术瓶颈。“主流的蓝宝石衬底由于其固有的特性导致这一问题很难克服。”王国宏说，通过团队的合作研发，首创了金属复合衬底结构及独特的芯片技术，研制成功了极低电压、超低热阻的LED芯片，“热阻变小，让产品无需散热成本，寿命也就大大延长了。”他估算，与使用普通蓝宝石衬底材料的LED灯相比，产品寿命延长一倍以上。

　　王国宏介绍，“基于这一产品的芯片，被一些企业购买运用后的相关LED产品，已经被应用于北京奥运会、上海世博会、广州亚运会、人民大会堂、京沪高铁等国家重大工程项目上。”

来源：消费日报网